璦翎爸
發布於 2026-09-03 / 0 閱讀
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應用材料曝先進封裝三大挑戰:CPO矽光子熱應力難題成解方角力戰場

SEMICON Taiwan揭密:先進封裝三大關卡

半導體設備大廠應用材料(Applied Materials)在9月3日登場的SEMICON Taiwan 2026展會上,罕見地完整拆解了先進封裝製程當前面臨的三大核心挑戰:晶片間的高密度互連、精密堆疊架構的良率控制,以及貫穿整個製程的量測監控。隨著AI晶片愈來愈依賴chiplet異質整合來突破單一晶粒的效能瓶頸,這場分享等於是為業界點出了下一階段量產的真正難點所在。

在互連與訊號傳輸方面,應材強調邏輯晶片、記憶體與不同chiplet之間,必須建立高密度且可靠的訊號連結,這是系統整合成敗的基礎。而在垂直堆疊與異質整合的路線上,雖然能換取更高的密度與效能,但隱藏在第三層、第四層晶片之間的微小空洞與缺陷,卻愈來愈難被傳統檢測手段抓出來。應材直言,「必須在問題釀成大規模良率損失之前,先確認最終良率是否達標」,因此透過光學與電子束檢測技術進行製程中的即時監控,已成為不可或缺的一環。

CPO矽光子封裝:熱應力才是真正的難題

值得注意的是,應材異質整合產品技術副總鄭馨蒲特別點出,共同封裝光學(CPO)元件面臨的挑戰與傳統邏輯晶片截然不同。他形容光子元件「each component has its temperament」(每個元件都有自己的脾氣),因為熱應力造成的問題主要表現在物理位移,而非單純的效能衰退。這意味著光學與電學功能會同時受到溫度敏感度與封裝壓力的影響,材料整合與公差管控因此必須更加精細,稍有差池就可能讓昂貴的矽光子模組報廢。

從圓形晶圓走向大尺寸面板的挑戰

除了微觀層級的熱應力問題,應材也提到隨著封裝載板從傳統圓形晶圓逐步轉往大尺寸面板(panel)形式,設備搬運、材料因熱膨脹係數不同而產生的翹曲,以及數位微影製程在重佈線層(RDL)上所需的動態補償,都是設備廠商必須同步解決的新課題。

隨著輝達、AMD等AI晶片大廠持續推升先進封裝與矽光子的採用速度,應材這番技術盤點也預告,封裝良率與散熱管理的競賽,很可能取代前段製程微縮,成為下一階段AI晶片供應鏈角力的新戰場。


資料來源:科技新報